職位描述：
1、MOSFET（Trench MOSFET、SGT MOSFET、SJ MOSFET等）和IGBT（NPT、LPT、FS等）的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)：負(fù)責(zé)器件結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計(jì)，新老產(chǎn)品性能優(yōu)化與良率提升，器件測(cè)試與可靠性考核，與FAE共同完成器件整機(jī)應(yīng)用測(cè)試，完成編寫(xiě)產(chǎn)品規(guī)格書(shū)；
2、與晶圓代工廠和封裝代工廠日常對(duì)接：設(shè)計(jì)制定工藝流程和測(cè)試程序，設(shè)計(jì)流片實(shí)驗(yàn)方案與封裝實(shí)驗(yàn)方案，完成編寫(xiě)封裝規(guī)格書(shū)與芯片規(guī)格書(shū)；
3、專利與論文的編寫(xiě)：包括但不限于器件結(jié)構(gòu)、制造工藝、封裝結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品應(yīng)用等，研究與分析國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體功率器件公司的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新封裝與各類應(yīng)用；
4、配合銷售人員完成客戶端的產(chǎn)品推廣介紹與售后服務(wù)，負(fù)責(zé)處理日常的客訴與產(chǎn)品失效分析報(bào)告；
5、負(fù)責(zé)政府項(xiàng)目申報(bào)的報(bào)告編寫(xiě)，配合質(zhì)量人員完成質(zhì)量體系的建立與完善；
6、積極配合完成部門主管與公司領(lǐng)導(dǎo)交辦的各項(xiàng)工作。

資格要求：
1、微電子、半導(dǎo)體、碩士以上學(xué)歷，微電子相關(guān)專業(yè)，熟悉MOSFET、IGBT、二三極管、寬禁帶半導(dǎo)體理論基礎(chǔ)；
2、具有5年以上的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司或半導(dǎo)體晶圓代工廠TD/PIE工作經(jīng)驗(yàn)，有產(chǎn)品設(shè)計(jì)與工藝整合經(jīng)驗(yàn)；
3、熟悉電子電路與整機(jī)應(yīng)用者優(yōu)先；
4、熟練使用英文讀寫(xiě)，熟練英文交流更佳；
5、能吃苦，思維清晰，善于溝通與表達(dá)，適應(yīng)出差。