1. ICP 干法刻蝕制程條件設(shè)定與優(yōu)化
2. 支持研發(fā)部門對(duì)于新工藝的研究開發(fā)和成本控制；
3. 團(tuán)隊(duì)為導(dǎo)向地保持良好的Etch制程，能滿足生產(chǎn)的需要；
4. 定義機(jī)臺(tái)的基本工藝能力；
5. 評(píng)估，實(shí)施備用的材料，部件的可行性及風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估；機(jī)臺(tái)的實(shí)時(shí)監(jiān)控；統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)管控；
6. 產(chǎn)品良率的提升及缺陷的降低；
崗位要求
1.  本科學(xué)歷及以上，碩博士優(yōu)先
2. 擅長 windows及Office操作系統(tǒng) (Excel, PowerPoint, Word)
3. 英語CET-6以上
4. 樂于與人溝通
5. 可接受彈性工作；可配合任務(wù)需求，調(diào)整工作順序、須配合生產(chǎn)輪班
6. 需具8寸以上半導(dǎo)體薄膜(ICP)干法蝕刻工藝工作經(jīng)驗(yàn)
7. 具備 Wet 清洗/刻蝕相關(guān)經(jīng)驗(yàn)為優(yōu)先考量 
微電子、物理、化學(xué)、微機(jī)電相關(guān)專業(yè)