崗位職責(zé)：
1. 進(jìn)行IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體器件及工藝仿真、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、版圖繪制和工藝流程制定；
2. 上述器件封裝設(shè)計(jì)、性能測試及失效分析；
3. 定制化產(chǎn)品的開發(fā)；
4. 新產(chǎn)品、新技術(shù)的跟進(jìn)和研究。

崗位要求：
1. 微電子與固體電子、半導(dǎo)體器件與物理等相關(guān)專業(yè)，具有扎實(shí)的物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)；
2.功率半導(dǎo)體器件相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)2年（含）以上，熟悉MOSFET、IGBT、FRD等功率半導(dǎo)體器件的開發(fā)流程；
3. 具有Fab實(shí)際經(jīng)驗(yàn)和上述功率半導(dǎo)體器件的實(shí)際開發(fā)/生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)；
4. 熟悉版圖設(shè)計(jì)（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）；
5. 具有較強(qiáng)的溝通能力、獨(dú)立思考能力及團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力；
6. 學(xué)習(xí)能力較強(qiáng)，具有創(chuàng)新精神。