崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)硅功率器件(如Trench MOS/LDMOS)和BCD平臺(tái)器件的仿真、設(shè)計(jì)、版圖繪制;
2、負(fù)責(zé)產(chǎn)品工藝流程編制及投產(chǎn)工作，跟蹤流片過(guò)程，解決流片中的異常;
3、負(fù)責(zé)器件測(cè)試、篩選及評(píng)估，進(jìn)行失效分析:
4、與SPICE、DRC、LVS工程師合作建立相關(guān)器件PDK

任職要求:
一、學(xué)歷/專業(yè)要求:
1、本科，碩士，博士
2、微電子學(xué)與固體電子學(xué)，電子科學(xué)與技術(shù)
二、專業(yè)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn):必需項(xiàng):
1、微電子、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷
2、具有良好的半導(dǎo)體器件原理的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)
3、熟練使用TCAD軟件(Sentaurus,Silvaco,或Taurus)
4、熟練使用layout軟件(Virtuoso或Laker)
5、良好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)讀寫能力
6、具備較強(qiáng)的邏輯分析能力、協(xié)調(diào)和執(zhí)行能力加分項(xiàng):
1、熟悉硅基功率半導(dǎo)體器件理論
2、熟練使用電學(xué)參數(shù)測(cè)試儀(IV，CV測(cè)試等)，掌握器件的參數(shù)測(cè)試方法