磁宇信息
上海磁宇信息科技有限公司是一家致力于高端研發(fā)、制造生產，具有國際先進技術的新型磁性隨機存儲器（MRAM）-通用記憶芯片的高科技集成電路企業(yè)，由美國硅谷頂級磁性存儲器的創(chuàng)業(yè)團隊回國后，在著名風險投資基金和上海市政府的支持下創(chuàng)立。
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招聘職位
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2018-11-21
企業(yè)最近登錄
加入中國頂尖的半導體行業(yè)創(chuàng)業(yè)公司，從事最具創(chuàng)新性的技術研發(fā)。與公司一起成長，與團隊一道齊心協(xié)力實現(xiàn)美麗的“中國夢”。
MRAM是后摩爾時代的新興內存技術，具備廣泛的應用前景和顛覆半導體產業(yè)的潛質。
磁宇是國內第一家MRAM產品研發(fā)制造公司，擁有國內唯一的完整PSTT-MRAM材料薄膜制造設備和測試設備。正在籌建12吋專用芯片制造的中試線， 并進行電路設計和應用方面的開發(fā)工作。
磁宇的管理團隊成員均是擁有國際知名企業(yè)工作經驗的專家。公司擁有多名博士帶領研發(fā)工作。
公司自成立以來，獲得了國家和上海市、嘉定區(qū)政府的重視。公司正在承擔國家核高基重大專項的任務。公司獲得了各項中央及地方的人才計劃，包括千人計劃、嘉定區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)和急需緊缺人才以及嘉定區(qū)青年領軍人才計劃的支持。
你必須有創(chuàng)新的激情、創(chuàng)業(yè)的精神、學習的能力。磁宇將給你發(fā)展的機會。
郭一民
總裁
郭一民博士本科畢業(yè)于北京大學物理系磁性材料專業(yè)，在中科院理論物理所研讀凝聚態(tài)電子學物理，之后赴美留學，獲美國明尼蘇達大學電子工程系博士學位（磁性材料與設計專業(yè)），并獲該年度電子工程系唯一的優(yōu)秀博士論文獎學金，九零年起曾參與3M公司磁性器件設計。郭博士具有23年的高級管理及研發(fā)經驗，是磁性納米電子產品的國際著名專家。先進磁存儲公司（HEADWAY）的創(chuàng)始工程師、公司高級總監(jiān)、首席專家，并在2000年IPO及TDK成功合并中，被董事會公開確認為八位公司最重要的人物之一。曾協(xié)助創(chuàng)辦最早開發(fā)MRAM的應用自旋電子科技公司ASI，并成功被收購。享有國際盛名的TDK集團公司MRAM部門（子公司）主要創(chuàng)始人及研發(fā)總監(jiān)，領導STT-MRAM應用開發(fā)。位于美國硅谷的新型存儲器開發(fā)商-T3MEMORY公司的共同創(chuàng)建人。持有近90項已被美國國家專利局批準的的發(fā)明專利，以及超過50多項待批準的美國專利。
肖榮福
副總裁
肖榮福畢業(yè)于美國猶他大學物理系，化學物理專業(yè)博士學位，擁有20多年高新材料開發(fā)半導體工藝的豐富經驗，及10余年的磁性隨機存儲芯片產品開發(fā)的成功經驗，掌握MRAM制造高級RIE工藝達到國際領先水平。已有兩項美國專利和40多項中國專利。作為運營長，負責公司的MRAM, 特別是pSTT-MRAM的整個工藝的開發(fā)，帶領工藝組的工程師們，利用我們從德國購買的最先進的PVD鍍膜設備，每天24小時，一周7天，對MRAM中最關鍵的MTJ(磁隧道極)多層膜進行了非常細致的研究，從如何提高MTJ中MgO氧化膜的平整度（方法見上面的專利#2），磁參考層和記憶層的熱穩(wěn)定性，以及種子層對磁電阻的影響，制做了上千種樣品，獲得了非常穩(wěn)定的MTJ，在RA=10附件，TMR超過180%，記憶層的Hc>500 Oe (比ANELVA的Hc大5倍之多)。與此同時，我們在MRAM刻蝕工藝上也取得不小的進步。我們利用國外(美國-CNSE)的光刻和磁刻蝕設備，對MRAM 測試芯片進行了系統(tǒng)的實驗，在45納米的節(jié)點基礎上，獲得了CD均勻度優(yōu)于2納米的MTJ記憶單元組，并且對側壁上對MTJ多層膜的保護
戴瑾
產品副總裁
戴瑾博士，上海磁宇公司新產品副總裁，1985年畢業(yè)于北京大學物理系，通過李政道教授主持的CUSPEA項目留學美國。就讀于德克薩斯大學奧斯汀分校，加入諾貝爾獎得主溫伯格教授研究小組，從事高能物理理論研究，1990年獲博士學位。從事物理學研究期間，曾發(fā)表被引用數(shù)千次的重要學術論文十余篇。自上個世紀九十年代起，戴博士曾多年在美國高通公司任職高級IC架構工程師，工作領域涉及IC設計、通訊、嵌入式軟件。隨后在TCL、中星微電子等國內外一流公司工作，領導大型研發(fā)團隊，負責消費性電子產品的開發(fā)。 擁有十余項已授權的發(fā)明專利，以及七十余項發(fā)明專利申請。戴博士從工作中積累了豐富的企業(yè)管理和創(chuàng)業(yè)的經驗。
滬公網安備31011502017136號